Intel เปิดแพคเกจชิประดับสูง EMIB‑T แข่ง CoWoS ของ TSMC ด้วยต้นทุนต่ำ 50% เริ่มผลิตเต็มรูปแบบในปี 2027

Intel เปิดตัวแพคเกจขั้นสูง EMIB‑T ที่อ้างว่ามีต้นทุนต่ำกว่าการบรรจุแบบ CoWoS ของ TSMC ถึง **50% และกำหนดให้เริ่มการผลิตระดับปริมาณเต็มรูปแบบในปี 2027 การพัฒนานี้เป็นสัญญาณสำคัญของ Intel ที่มุ่งขยายตลาดโฟลด์และแพคเกจหลาย‑ชั้นเพื่อดึงดูดลูกค้าภายนอกจากโรงงานฟาวน์ดรีของตนเอง

Overview

Intel ได้ผลักดันเทคโนโลยีการบรรจุขั้นสูงโดยใช้ระบบ **Embedded Multi-die Interconnect Bridge (EMIB) ซึ่งให้ผู้สามารถผสมผสานบล็อค 2D, 2.5D และ 3D เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพด้านค่าใช้จ่าย พลังงานและแบนด์วิธในระดับระบบ EMIB ทำหน้าที่เป็นสะพานซิลิกอนฝังอยู่บนสารฐาน (substrate) ให้การเชื่อมต่อระหว่างไดอีสูงความหนาแน่นโดยไม่ต้องใช้ interposer ขนาดเต็ม ซึ่งลดต้นทุนและพื้นที่ได้อย่างมีนัยสำคัญ

ตามข้อมูลของ Intel EMIB มีหลายเวอร์ชัน เช่น EMIB‑M ที่ฝังตัวเก็บประจุ MIM ไว้ในบล็อคเดียวกัน และ EMIB‑T ที่เพิ่มเทคโนโลยี Through‑Silicon Vias (TSV) เพื่อให้สามารถเชื่อมต่อพลังงานโดยตรงกับ ASIC ทำให้แพคเกจหนึ่งชิ้นสามารถจัดการกำลังไฟหลายกิโลวัตต์ได้

Technology Details

EMIB‑T ใช้ TSV เพื่อสร้าง “shoreline connections” ที่มีความหนาแน่นสูงและค่าใช้จ่ายต่ำ เหมาะอย่างยิ่งกับการเชื่อมต่อระหว่าง logic‑to‑logic หรือ logic‑to‑HBM โดยไม่ต้องอาศัย interposer ขนาดใหญ่ การออกแบบนี้ช่วยให้ผู้ผลิตสามารถปรับแต่งโครงสร้างตามความต้องการของแอปพลิเคชันได้อย่างยืดหยุ่น

นอกจากนี้ Intel ยังเร่งรัดการผลิต EMIB รุ่นมาตรฐานและเทคโนโลยี Foveros ซึ่งเป็น 3‑D stacking เพื่อตอบสนองต่อคำสั่งซื้อจากลูกค้าปัจจุบัน การพัฒนา EMIB‑T จะเสริมความสามารถของโซลูชันเหล่านี้ให้ครอบคลุมการใช้งานที่ต้องการกำลังไฟสูงและแบนด์วิธกว้างขวาง

Market Reception

หลายบริษัทออกแบบ ASIC ระดับใหญ่ เช่น Broadcom และ Meta ได้เริ่มพิจารณาการเปลี่ยนจากแพคเกจ CoWoS ของ TSMC ไปใช้ EMIB‑T ของ Intel เนื่องจากเห็นศักยภาพในการลดต้นทุนโดยไม่สูญเสียคุณสมบัติที่สำคัญของการเชื่อมต่อหลายไดอี

ตามรายงานของผู้ผลิตแผ่นวงจรพิมพ์และสารฐาน Unimicron (ไต้หวัน) ลูกค้าเหล่านี้กำลังประเมินผลกระทบด้านต้นทุนระหว่างสองเทคโนโลยี และบางกรณีพบว่า EMIB‑T สามารถให้คุณลักษณะเพิ่มเติม เช่น การเชื่อมต่อพลังงานโดยตรงผ่าน TSV ซึ่งอาจเป็นข้อได้เปรียบในงานที่ต้องการกำลังไฟสูง

Cost Comparison

ข้อมูลจาก Unimicron ระบุว่าความแตกต่างด้านราคา ระหว่าง EMIB‑T กับ CoWoS (CoWoS‑L หรือ CoWoS‑R) สามารถถึง 50% ขึ้นอยู่กับปัจจัยต่อไปนี้

• ความจำเป็นใช้ interposer ขนาดใหญ่ของ CoWoS
• จำนวนและประเภทของ TSV ที่ต้องการใน EMIB‑T
• ปริมาณการสั่งผลิต (economies of scale)

โดยที่ต้นทุนแพคเกจขั้นสูงมักถูกส่งต่อให้กับลูกค้า ทำให้บริษัทผู้ใช้ชิ้นส่วนสามารถนำเงินที่ประหยัดได้ไปลงทุนเพิ่มในด้านอื่นของกระบวนการผลิตหรือการพัฒนาผลิตภัณฑ์ใหม่ ๆ

Production Timeline

แม้ว่า Intel จะเริ่มการผลิตเชิงปริมาณของ EMIB‑T ในปีหน้า (ตามแผนการ ramp‑up ปัจจุบัน) แต่การเข้าสู่ high‑volume production อย่างเต็มรูปแบบยังคาดว่าจะเกิดขึ้นในปี 2027 ตามที่ Unimicron ยืนยัน การเร่งรัดนี้สอดคล้องกับความต้องการของตลาด ASIC ที่กำลังมองหาโซลูชันแพคเกจที่มีต้นทุนต่ำกว่าและประสิทธิภาพสูง

ระยะเวลานี้ยังเป็นช่วงที่ Intel ต้องแข่งขันโดยตรงกับ TSMC ในด้านเทคโนโลยี CoWoS ซึ่งเป็นมาตรฐานอุตสาหกรรมอยู่แล้ว การบรรลุการผลิตระดับใหญ่ได้สำเร็จจะช่วยให้ Intel สร้างฐานลูกค้าใหม่และเพิ่มส่วนแบ่งตลาดฟาวน์ดรีของตน

Impact

หาก EMIB‑T สามารถรักษาความแตกต่างด้านต้นทุนไว้ที่ **50% อย่างต่อเนื่อง ผลกระทบต่ออุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์จะเป็นการกระจายศูนย์กลางการผลิตจาก TSMC ไปยัง Intel มากขึ้น ลูกค้า ASIC จะมีตัวเลือกเพิ่มเติมในการลดต้นทุนโครงการและเพิ่มความยืดหยุ่นของการออกแบบ

ในระดับมหภาคมากกว่านั้น การแข่งขันด้านเทคโนโลยีบรรจุขั้นสูงอาจกระตุ้นให้ผู้ผลิตอื่น ๆ พัฒนาแพคเกจที่คล้ายกันหรือปรับปรุงกระบวนการผลิตเพื่อให้ได้ต้นทุนที่ต่ำกว่า ส่งผลให้ราคาชิปโดยรวมในตลาดอาจลดลงและเร่งการนำเทคโนโลยีใหม่เข้าสู่ผลิตภัณฑ์ผู้บริโภคเร็วขึ้น

Summary

Intel กำลังเตรียมเปิดตัว EMIB‑T ซึ่งอ้างว่ามีต้นทุนต่ำกว่า CoWoS ของ TSMC ถึง **50% และตั้งเป้าผลิตระดับปริมาณเต็มรูปแบบในปี 2027 การพัฒนานี้มีแนวโน้มจะขยายฐานลูกค้า ASIC อย่าง Broadcom และ Meta พร้อมกระตุ้นการแข่งขันด้านแพคเกจขั้นสูงในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์.