ไมโครนขยายโรงงานฮิโรชิมะมูลค่า 9.3 พันล้านดอลลาร์เพื่อผลิต HBM สูงสุดในปี 2028

Micron ได้ทำการกรีดหลุมฝังกล่องสำหรับโรงงานขยายขนาดมูลค่า ¥1.5 เทริลเลียน (ประมาณ $9.3 พันล้าน) ในจังหวัดฮิโรชิมะ ประเทศญี่ปุ่น โดยโครงการนี้คาดว่าจะเริ่มติดตั้งอุปกรณ์ในครึ่งหลังของปี 2028 การลงทุนครั้งใหญ่ของบริษัทสหรัฐฯ นี้เสริมสถานะของญี่ปุ่นในฐานะศูนย์กลางการผลิตหน่วยความจำขั้นสูงและเป็นสัญญาณสำคัญต่อห่วงโซ่อุปทานของอุตสาหกรรมยานยนต์ระดับโลก

Overview

โรงงานใหม่ที่ฮิโรชิมะจะมุ่งเน้นไปที่การผลิต HBM (High‑Bandwidth Memory) และหน่วยความจำขั้นสูงอื่น ๆ ซึ่งคาดว่าจะใช้วัสดุส่วนใหญ่จากซัพพลายเออร์ภายในประเทศญี่ปุ่น ประมาณ 80 % ของวัตถุดิบที่ต้องการมีแหล่งจัดหาในประเทศแล้ว ทำให้โครงการนี้เป็นตัวอย่างของ “localization” ที่รัฐบาลญี่ปุ่นสนับสนุนโดยตรง

นอกจากนี้ Micron ยังคงเป็นผู้ผลิต DRAM ต่างชาติเพียงคนเดียวที่ยังคงดำเนินงานบนดินแดนญี่ปุ่น หลังจากการถอนตัวของบริษัทอื่น ๆ โครงการขยายโรงงานนี้จึงถือว่าเป็นประเด็นเชิงยุทธศาสตร์สำคัญสำหรับโตเกียว ทั้งในมุมมองด้านเทคโนโลยีและความมั่นคงทางเศรษฐกิจ

Investment & Government Support

รัฐบาลญี่ปุ่นให้การสนับสนุนเงินทุนสูงสุดถึง ¥500 พันล้าน (ประมาณ $3 พันล้าน) สำหรับโครงการนี้ รวมเป็นส่วนหนึ่งของการช่วยเหลือต่อเนื่องที่มีมูลค่าประมาณ ¥775 พันล้าน ($4.7 พันล้าน) ตั้งแต่ Micron เริ่มดำเนินกิจกรรมในประเทศ

• การสนับสนุนรวมถึงเงินกู้ระยะยาวและสิทธิประโยชน์ด้านภาษี
• มาตรการนี้มุ่งลดความเสี่ยงด้านห่วงโซ่อุปทานและกระตุ้นการพัฒนาเทคโนโลยีเมมโมรีขั้นสูงในเอเชีย

โดยผู้บริหารของ Micron ระบุว่าการลงทุนร่วมกับรัฐบาลญี่ปุ่นช่วยให้บริษัทสามารถเร่งรัดการผลิต HBM ที่ตอบสนองต่อความต้องการของศูนย์ข้อมูลและ AI ได้เร็วขึ้น

Hiroshima Fab History & Expansion Details

ไซต์ฮิโรชิมะมีประวัติศาสตร์ยาวนานกับ Micron ตั้งแต่ปี 2013 เมื่อบริษัทได้เข้าซื้อกิจการของ Elpida Memory ที่ล้มละลาย การควบคุมโรงงานนี้ทำให้ Micron สามารถผลิต wafer HBM ครั้งแรกของตนเองได้สำเร็จ

ในแผนขยายครั้งใหม่ จะเพิ่มพื้นที่กว้างหลายสิบพันตารางเมตรและติดตั้งอุปกรณ์การผลิตรุ่นล่าสุดที่รองรับเทคโนโลยี 3 nm และเหนือกว่า โครงสร้างพื้นฐานใหม่จะรวมถึงห้องคลีนรูมระดับ Class 1 เพื่อให้ได้คุณภาพของ wafer ที่สูงสุด

ตามข้อมูลของบริษัท การก่อสร้างและติดตั้งอุปกรณ์ทั้งหมดคาดว่าจะเสร็จสิ้นภายในครึ่งหลังของปี 2028 ซึ่งสอดคล้องกับรายงานก่อนหน้าที่บ่งชี้ว่า Micron จะเปิดโรงงาน HBM ใหม่ในญี่ปุ่น

Global Manufacturing Footprint

ขณะเดียวกัน Micron กำลังพัฒนาโรงงานขั้นสูงสองแห่งเพิ่มเติมใน Boise, สหรัฐอเมริกา และได้ทำการกรีดหลุมฝังกล่องสำหรับศูนย์ผลิตขนาดใหญ่มูลค่า $100 พันล้าน ใกล้ Syracuse, นิวยอร์ก** ซึ่งเป็นส่วนหนึ่งของแผนขยายกำลังการผลิตทั่วโลก

โครงการเหล่านี้สอดคล้องกับเป้าหมายของ Micron ที่ต้องการเพิ่มความสามารถในการผลิตเมมโมรีสำหรับ AI, การประมวลผลแบบคลาวด์และยานยนต์อัจฉริยะ โดยเฉพาะอย่างยิ่งโรงงานใน Manassas, Virginia จะสนับสนุนส่วนหนึ่งของห่วงโซ่อุปทานที่เกี่ยวข้องกับข้อตกลงการจัดหาแก่ Ford

Automotive Partnership with Ford

เมื่อเร็ว ๆ นี้ Micron และ Ford ได้ประกาศข้อตกลงการจัดหาหน่วยความจำและโซลูชันจัดเก็บข้อมูลระยะยาวสำหรับรถยนต์รุ่นถัดไปของบริษัทอเมริกัน ข้อเสนอนี้รวมถึงผลิตภัณฑ์ที่ออกแบบมาสำหรับระบบคอมพิวเตอร์บนท้องถนน (ADAS) และแอปพลิเคชันเชื่อมต่อ IoT

การจัดหาเหล่านี้จะใช้ความสามารถจากโรงงาน Manassas, Virginia ของ Micron เพื่อให้ได้ส่วนประกอบที่ผลิตในสหรัฐฯ ลดระยะเวลาและต้นทุนโลจิสติกส์ ข้อตกลงนี้เป็นสัญญาณว่าตลาดยานยนต์กำลังมุ่งเน้นไปยังการใช้หน่วยความจำความเร็วสูงอย่าง HBM เพื่อรองรับระบบขับเคลื่อนอัตโนมัติและข้อมูลเชิงลึกแบบเรียลไทม์

Impact

โครงการขยายโรงงานฮิโรชิมะของ Micron นำมาซึ่งการสร้างงานจำนวนหลายพันตำแหน่งในภูมิภาคคันไซ และเสริมศักยภาพการแข่งขันของญี่ปุ่นในตลาดเมมโมรีระดับโลก การสนับสนุนจากรัฐบาลช่วยกระตุ้นนวัตกรรมและทำให้ซัพพลายเออร์ท้องถิ่นได้รับอำนาจการผลิตเพิ่มขึ้น

สำหรับ Micron โครงการนี้ไม่เพียงแค่ขยายกำลังการผลิต HBM เท่านั้น แต่ยังเป็นส่วนสำคัญของกลยุทธ์ที่เชื่อมต่อกับโรงงานในสหรัฐฯ และข้อตกลงด้านยานยนต์กับ Ford ทำให้บริษัทมีฐานการผลิตหลายภูมิภาคที่เสถียรและตอบสนองความต้องการของอุตสาหกรรมเทคโนโลยีระดับสูงได้อย่างรวดเร็ว

Summary

Micron กรีดหลุมฝังกล่องโรงงานขยายมูลค่า ¥1.5 เทริลเลียน ในฮิโรชิมะโดยได้รับการสนับสนุนจากรัฐบาลญี่ปุ่นถึง ¥500 พันล้าน การลงทุนนี้เสริมตำแหน่งของญี่ปุ่นในห่วงโซ่อุปทานเมมโมรีขั้นสูงและเชื่อมโยงกับโครงการขยายโรงงานทั่วโลก รวมถึงความร่วมมือระยะยาวกับ Ford ในการจัดหาเทคโนโลยีหน่วยความจำสำหรับรถยนต์รุ่นใหม่.