ซัมซุงฟาวน์ดรีปรับแผนโหนด 1.4 nm ไปสู่ปี 2029 พร้อมเตรียม High‑NA EUV สำหรับโหนดระดับ 1 nm ในทศวรรษหน้า

Samsung Foundry ปรับแผนถนนเทคโนโลยีการผลิตชิพในงาน NGL 2026 โดยเลื่อนการเปิดตัวโหนด SF1.4 (ระดับ 1.4 nm) ไปจนถึงปี 2029 และมุ่งเน้นใช้เครื่อง High‑NA EUV เพื่อให้พร้อมกับโหนดระดับ 1 nm ตั้งแต่ประมาณปี 2030 การเปลี่ยนแปลงนี้สะท้อนความพยายามของซัมซุงในการเพิ่มอัตราการผลิตและผลตอบแทนจากโหนด SF2 (ระดับ 2 nm) ก่อนจะเข้าสู่ยุคเทคโนโลยีที่เล็กกว่า

Overview

การปรับแผนถนนของ Samsung Foundry ถูกเปิดเผยในงาน Next‑Generation Lithography + Patterning Conference (NGL 2026) ซึ่งเป็นการอัปเดตสำคัญเมื่อเทียบกับโรดแมปปี 2024 ก่อนหน้านี้ ซัมซุงเคยตั้งเป้าหมายจะนำโหนด SF1.4 ไปสู่ตลาดในปี 2027 แต่ตอนนี้ได้เลื่อนออกไปสองปีเพื่อให้มีเวลาเพิ่มประสิทธิภาพของกระบวนการผลิตโหนด SF2 ซึ่งเป็นพื้นฐานสำคัญสำหรับลูกค้ารายใหญ่เช่น Tesla ที่ทำสัญญาซื้อชิพ AI5 และ AI6 ถึงปี 2033

แม้จะยังไม่มีการเปิดตัวอย่างเป็นทางการของเครื่อง High‑NA EUV, Samsung ยืนยันว่าจะเริ่มใช้เทคโนโลยีนี้กับโหนดระดับ 1 nm (ชื่อว่า SF1A) ตั้งแต่ปี 2030 การตัดสินใจนี้สื่อให้เห็นว่าซัมซุงกำลังเตรียมตัวรับมือกับความต้องการของอุตสาหกรรม AI และการประมวลผลที่มีความละเอียดสูงในทศวรรษหน้า

Updated Timeline

ตามข้อมูลจากงาน NGL 2026, ตารางเวลาการพัฒนาโหนดของ Samsung จะเป็นดังนี้

• SF2‑series (รวม SF2P, SF2X, SF2A, SF2Z) จะได้รับการปรับปรุงและขยายผลต่อเนื่องในช่วงสามปีถัดไป
• โหนด SF1.4 จะเปิดตัวในปี 2029 แทนที่จะเป็น 2027 ตามแผนเดิม
• โหนดระดับ 1 nm‑class (SF1A) คาดว่าจะเริ่มผลิตเชิงพาณิชย์ตั้งแต่ปี 2030

การเลื่อนเวลาเหล่านี้ทำให้ Samsung สามารถมุ่งเน้นทรัพยากรไปที่การเพิ่มอัตราการผลลัพธ์ (yield) และปริมาณการผลิตของโหนด SF2 ซึ่งเป็นหัวใจสำคัญสำหรับการตอบสนองต่อความต้องการจากลูกค้ารายใหญ่

Process Details

โหนด SF2‑series ประกอบด้วยหลายรุ่นที่แตกต่างกันตามเทคนิคการจัดหาไฟฟ้าจากด้านหลัง (backside power delivery) และการปรับแต่งขั้นตอนการผลิต:

• SF2P – โหนดพื้นฐานสำหรับผลิตชิพระดับ 2 nm
• SF2X – รุ่นที่เน้นประสิทธิภาพพลังงานสูงกว่าแบบเดิม
• SF2A – เพิ่มความเสถียรของลายเซ็นต์ (pattern) ด้วยเทคโนโลยีเมตริกซ์ใหม่
• SF2Z – ใช้ระบบจัดหาไฟฟ้าแบบ backside power delivery เพื่อลดการสูญเสียพลังงาน

นอกจากนี้ Samsung ยังได้เปิดเผยว่าจะใช้เครื่อง ASML Twinscan EXE:5000 (NA 0.55) ในการวิจัยและพัฒนาเทคโนโลยี High‑NA EUV มานานกว่าแล้ว แต่ยังไม่มีแผนที่จะนำไปผลิตเชิงพาณิชย์จนถึงโหนด 1 nm‑class

High‑NA EUV Strategy

ผู้บริหารระดับสูงของ Samsung, Chang Min Park, ระบุว่า “เราต้องการใช้ High‑NA EUV ในการผลิตมวลชนที่โหนด 2 nm และ 1.4 nm แต่เทคโนโลยียังต้องการการปรับปรุงเพิ่มเติม” (ตามรายงานของ ZDNet Korea) การพัฒนาเครื่องนี้ยังเผชิญกับอุปสรรคหลายด้าน ได้แก่

• ค่าใช้จ่ายสูงกว่าระบบ Low‑NA EUV อย่างมาก ส่งผลต่อค่าใช้จ่ายโดยรวมของโรงงานและราคาชิพ
• พื้นที่การฉายแสงที่เล็กลงทำให้ต้องใช้เทคนิค die stitching สำหรับชิพขนาดใหญ่ ซึ่งซับซ้อนต่อการออกแบบ
• จำเป็นต้องมีฟอโต้เรซิสต์, มาสก์, เพลิกคูลส์, ระบบเมตริกซ์และการตรวจสอบใหม่ทั้งหมด

เหล่านี้ทำให้ผู้ผลิตชิพต้องประเมินว่าเมื่อใดที่การใช้ single‑patterning บนเครื่อง High‑NA EUV จะเป็นทางเลือกที่คุ้มค่ากับต้นทุนเปรียบเทียบกับการต่อเนื่องใช้ระบบ 0.33‑NA EUV ที่ยังต้องอาศัยหลายขั้นตอน (multi‑patterning)

Industry Context & Impact

การปรับโครงสร้างของ Samsung นั้นสอดคล้องกับแนวโน้มของอุตสาหกรรมทั่วโลกที่กำลังมองหาวิธีลดความซับซ้อนของกระบวนการ lithography ขณะเดียวกันต้องรองรับความต้องการประสิทธิภาพสูงจาก AI, HPC และรถยนต์ไฟฟ้า ตัวอย่างเช่น Intel วางแผนใช้เครื่อง High‑NA EUV กับเทคโนโลยี 14A ส่วน TSMC คาดว่าจะนำไปใช้ในช่วงทศวรรษหน้า

การที่ Samsung เลือกชะลอการเปิดตัวโหนด SF1.4 เพื่อให้โฟกัสกับ SF2‑series และเตรียมพร้อมรับเทคโนโลยี High‑NA EUV ทำให้บริษัทมีโอกาสเพิ่มความมั่นคงของกำไรจากลูกค้าหลักอย่าง Tesla อีกทั้งยังเปิดช่องทางใหม่ในการแข่งขันกับคู่แข่งระดับโลกโดยอิงการพัฒนาเครื่องมือและวัสดุที่ตอบโจทย์เทคโนโลยี 1 nm‑class

Summary

Samsung Foundry ปรับแผนถนนเพื่อเลื่อนโหนด SF1.4 ไปถึงปี 2029 และมุ่งเน้นใช้ High‑NA EUV สำหรับโหนดระดับ 1 nm ตั้งแต่ประมาณปี 2030 การเปลี่ยนแปลงนี้ช่วยให้บริษัทสามารถพัฒนาและทำให้โหนด SF2‑series มีความพร้อมด้านผลตอบแทนและปริมาณผลิต ก่อนจะเข้าสู่ยุคเทคโนโลยีที่เล็กกว่าในทศวรรษหน้า.