CEO ของ SK hynix ระบุว่าการขาดแคลนหน่วยความจำจะยืดจนถึงปี 2030

Lead: ผู้บริหารระดับสูงของ SK hynix** ระบุว่า การขาดแคลนหน่วยความจำแบบ DRAM และ HBM จะยังคงต่อเนื่องจนถึงปลายปี 2030 ไม่มีสัญญาณชัดเจนที่จะบ่งบอกว่าตลาดจะฟื้นตัวในเร็ว ๆ นี้ รายงานนี้ส่งผลกระทบต่ออุตสาหกรรมเทคโนโลยีทั่วโลกโดยเฉพาะผู้ผลิตเซิร์ฟเวอร์และอุปกรณ์ที่ต้องพึ่งพา AI

Overview

ตามคำให้สัมภาษณ์ของ CEO Kwak Noh‑Jung หลังพิธีเปิดโรงงานบรรจุภัณฑ์ใหม่ของบริษัทในรัฐอินเดียน่า USA การขาดแคลนหน่วยความจำที่กำลังเกิดขึ้นจะยังคงอยู่จนถึงปี 2030 โดยไม่มีสัญญาณชะลอตัวที่ชัดเจน การคาดการณ์นี้ต่อเนื่องจากการประกาศก่อนหน้า ที่ระบุว่าตลาด DRAM ธรรมดาจะต้องเผชิญกับความตึงเครียดจนถึงปี 2028

การคาดการณ์ดังกล่าวทำให้ผู้ผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และผู้จัดหาเซิร์ฟเวอร์ต้องเตรียมแผนระยะยาวเพื่อรับมือกับต้นทุนที่สูงขึ้นและความล่าช้าในการจัดหาชิ้นส่วน การขาดแคลนอาจกระทบต่อการพัฒนาผลิตภัณฑ์ใหม่ ๆ ที่ใช้หน่วยความจำเป็นหัวใจหลัก เช่น ระบบประมวลผลภาพ AI และงานคอมพิวเตอร์ระดับสูง

Market Context

ตลาดหน่วยความจำในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมาได้เผชิญกับปัจจัยหลายอย่างที่ทำให้อุปสงค์เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว ทั้งจากการขยายตัวของศูนย์ข้อมูลและความต้องการ AI ที่เพิ่มพลังงาน การผลิต DRAM แบบดั้งเดิมจึงไม่สามารถตอบสนองได้ทัน

นอกจากนี้ ราคาหน่วยความจำเคยปรับตัวลงในช่วงปี 2022‑2023 เนื่องจากอุปสงค์ลดลงอย่างฉับพลัน ทำให้หลายบริษัทต้องปิดโรงงานหรือชะลอการลงทุนใหม่ การกลับมาของ “oversupply” แบบนั้นไม่ได้เห็นสัญญาณในขณะนี้ตามที่ Reuters รายงาน

แม้ว่าเทคโนโลยีใหม่เช่น HBM (High‑Bandwidth Memory) จะเพิ่มความซับซ้อนของห่วงโซ่อุปทาน แต่ก็เป็นส่วนหนึ่งของแนวโน้มที่ทำให้ตลาดหน่วยความจำมีลักษณะเฉพาะมากขึ้น ไม่ใช่สินค้าคอมโมดิตี้เพียงอย่างเดียว

Technical Shifts

การเปลี่ยนแปลงสำคัญที่ Kwak Noh‑Jung ชี้นำคือ การย้ายจาก DRAM แบบมาตรฐานไปสู่โซลูชันที่ปรับแต่งตามความต้องการของลูกค้า เช่น การใช้ HBM ที่มีแบนด์วิธสูงเพื่อรองรับงาน AI

AI‑driven demand ทำให้ผู้ผลิตต้องออกแบบ DRAM และ HBM ให้ตรงกับโมเดลการฝึกและสรุปผลของปัญญาประดิษฐ์
ความต้องการในรูปแบบ “customized configurations” ลดความเสี่ยงต่อการเกิด “oversupply crash” ที่เคยทำให้ราคาตกต่ำอย่างฉับพลัน

การปรับตัวนี้ทำให้ผู้ผลิตสามารถคาดการณ์อุปสงค์ได้แม่นยำกว่าเดิม เนื่องจากลูกค้าต้องการสเปคเฉพาะเจาะจงมากกว่าปริมาณทั่ว ๆ ไป

Forecast & Implications

ตามที่ CEO กล่าว การชะลอตัวของตลาดหน่วยความจำในอนาคตน่าจะเกิดขึ้นอย่าง “gradual easing” มากกว่าเหตุการณ์ราคาไหลลงอย่างรุนแรงที่ผ่านมา ซึ่งหมายถึงผู้ผลิตอาจเห็นการปรับตัวของราคาและปริมาณค่อย ๆ สู่ระดับสมดุล

ผลกระทบสำคัญที่ต้องพิจารณาได้แก่

ต้นทุนผลิต ของเซิร์ฟเวอร์และเครื่องมือ AI จะยังคงอยู่ในระดับสูง ส่งผลให้ราคาผลิตภัณฑ์สุดท้ายอาจเพิ่มขึ้นต่อผู้บริโภค
บริษัทเทคโนโลยีที่พึ่งพา DRAM เป็นส่วนประกอบหลักจะต้องจัดสรรงบประมาณเพื่อการสำรองสินค้าคงคลังและอาจพิจารณาการใช้เทคโนโลยีหน่วยความจำอื่น ๆ เช่น NAND หรือ Storage‑Class Memory
ตลาดทุนอาจให้ค่าต่ำต่อหุ้นของผู้ผลิตหน่วยความจำที่ไม่สามารถปรับตัวได้เร็วพอ

การวางแผนระยะยาวและการลงทุนในโรงงานใหม่เช่นศูนย์บรรจุภัณฑ์อินเดียน่า จะเป็นกุญแจสำคัญในการรักษาความมั่นคงของซัพพลายเชน

Industry Reaction

นักวิเคราะห์หลายคนให้ความเห็นว่าการยืดระยะเวลาขาดแคลนจนถึง 2030 นั้นสอดคล้องกับการเติบโตของ AI และ คลาวด์คอมพิวติ้ง ที่กำลังเร่งขึ้นอย่างต่อเนื่อง แม้จะมีข้อกังวลเรื่องความเสี่ยงด้านราคาสินค้า

บริษัทเทคโนโลยีระดับโลกบางส่วนได้เริ่มทำสัญญาซื้อหน่วยความจำแบบระยะยาวเพื่อป้องกันความผันผวนของราคา และหลายองค์กรกำลังสำรวจการใช้ HBM ที่มีประสิทธิภาพสูงเป็นทางเลือกเสริม แม้ว่าจะยังคงต้องลงทุนในด้านอุปกรณ์และซอฟต์แวร์เพิ่มเติม

อย่างไรก็ตาม การขาดแคลนที่ยืดเยื้ออาจกระตุ้นให้ผู้ผลิตใหม่เข้าสู่ตลาดหรือเร่งการพัฒนาเทคโนโลยีทดแทน ซึ่งจะเป็นแรงผลักดันสำคัญต่อการแข่งขันในอนาคต

Summary

SK hynix คาดว่าการขาดแคลนหน่วยความจำแบบ DRAM และ HBM จะดำเนินต่อไปจนถึงปี 2030 โดยอาจเกิดการชะลอตัวอย่างค่อยเป็นค่อยไป แทนที่จะมีการพังทลายของราคาแบบฉับพลัน การเปลี่ยนแนวโน้มสู่ความต้องการ AI‑customized ทำให้ตลาดหน่วยความจำกลายเป็นสินค้าพิเศษมากขึ้นและส่งผลต่อห่วงโซ่อุปทานทั่วโลกอย่างกว้างขวาง.